IPS

Совместная разработка Hitachi и NEC. За счет другого расположения молекул жидкого кристалла стало возможным избавиться от некоторых (но, к сожалению, не от всех) недостатков, присущих TN TFT.

Главная особенность данной технологии – расположение управляющих электродов не на разных сторонах жидкого кристалла, а на одной плоскости. В выключенном состоянии молекулы сориентированы так, что свет не меняет поляризацию и пиксел выглядит как черный. То есть, «битый» транзистор приведет к образованию на экране черной точки, что более приятно. Угол обзора увеличился до 160-170 градусов, что является, конечно, самым главным достоинством IPS.

Теперь о недостатках. Переориентация молекул в данном варианте управления требует более мощного электрического поля, а это ведет к некоторому увеличению времени отклика. Типовое значение времени реакции пиксела для этих матриц составляет 30 – 50 миллисекунд. Так как электроды располагаются на одной плоскости, по два на цветовой элемент, они в большей степени закрывают собой часть светового потока. В результате для получения приемлемой контрастности и яркости требуется более мощный источник подсветки.

Производители матриц работают над усовершенствованием данной технологии, появляется целое семейство - S-IPS, Dual Domain IPS, SFT, A-SFT и т.д.