Торік компанії IBM і Toshiba активно зайнялися розробкою магніторезистивної пам'яті MRAM, яка має великі переваги перед звичайною DRAM. Їх робота практично підійшла до кінця.

MRAM

Для користувачів мобільних пристроїв треба, щоб об'єм пам'яті був більше, а енергоспоживання трохи менше. Пам'ять MRAM задовольняє цим вимогам. Вона працює швидше в порівнянні з DRAM, споживає в 10 разів менше енергії і може зберігати дані після відключення живлення. Це досягається завдяки тому, що інформація зберігається не у вигляді електричних зарядів або струмів, а за допомогою магнітних елементів. При цьому модуль пам'яті MRAM об'ємом 1 ГБ має розмір поштової марки.

Єдина проблема, яку належить перемогти розробникам, полягає в тому, щоб забезпечити стабільну роботу пам'яті MRAM в широкому температурному діапазоні. Представники компаній стверджують, що ця проблема буде вирішена. Масова поява на ринку MRAM очікується в 2015 році.