Как известно, чипы Intel Alder Lake станут первыми процессорами, поддерживающими новый стандарт оперативной памяти DDR5. Компания Intel опубликовала документ, в котором указываются первые модули памяти DDR5-4800 от различных производителей, уже прошедшие валидацию на совместимость с новой платформой.

Intel делегировала право проверки модулей памяти DDR5 компании Advanced Validation Labs (AVL), основным направлением деятельности которой в настоящий момент является валидация модулей ОЗУ стандарта DDR5-4800, соответствующего базовым спецификациям JEDEC принятым для DDR5. Эти модули не имеют поддержки технологии коррекции ошибок, работают с напряжением 1,1 В и обладают таймингами 40-39-39.

AVL уже успела проверить и утвердить несколько модулей ОЗУ DDR5 от таких производителей, как SK hynix, Samsung, Micron, Crucial и Kingston. Хотя в целом характеристики памяти каждого производителя, представленного в списке, повторяют друг друга, прошедшие валидацию модули DDR5 обладают объёмом от 8 до 32 Гбайт. Согласно документу Intel, в составе первых проверенных модулей ОЗУ DDR5 используются 16-Гбит чипы DDR5. В перспективе производители также будут выпускать ОЗУ нового стандарта, обладающие большим объёмом.

Напомним, что одной из особенностей модулей памяти DDR5 является использование собственных контроллеров питания (PMIC) и модулей регулирования напряжения. Судя по всему, первые модули ОЗУ нового стандарта будут использовать PMIC производства компании Renesas. Хотя в документе и не указывается конкретная модель использующегося контроллера, по мнению портала Tom’s Hardware, ими могут стать контроллеры P8911, являющиеся оптимизированной версией модели P8900, которую Renesas разработала для серверной памяти.

В составе модулей ОЗУ DDR5 от SK hynix, Samsung и Micron будут использоваться их собственные чипы памяти. Компания Kingston в свою очередь использует чипы SK hynix. Модули Crucial, дочернего бренда Micron, очевидно, получат микросхемы памяти компании Micron.

В памяти SK hynix и Micron используются степпенги M-die и A-die соответственно. Они отлично работают при высоких напряжениях, но далеко не всегда могут похвастаться низкими таймингами. Этой характерной чертой обладали микросхемы DDR4 от Samsung со степпингом B-die, которые компания прекратила производить ещё в 2019 году. Документ Intel подтверждает, что в модулях памяти DDR5 южнокорейского производителя используются чипы DRAM со степпингом Revision B. Судя по всему, речь идёт именно о B-die. Если это так, то решения на их основе, как и в случае с модулями памяти DDR4 B-die, де факто снова будут рассчитаны в первую очередь на энтузиастов.

Также можно отметить одноранговую организацию памяти для модулей объёмом 8 Гбайт и 16 Гбайт благодаря использованию чипов с 16- и 8-битной шиной соответственно. Для сравнения, на запуске стандарта DDR4 все модули памяти объёмом 16 Гбайт имели двухранговую организацию. С запуском массового производства чипов памяти большей плотности производители перешли на выпуск модулей памяти с одноранговой организацией. Что касается двухранговой организации (2Rx8), то она, похоже, будет встречаться только в модулях памяти DDR5 объёмом 32 Гбайт.

Память с двухранговой организацией обычно быстрее, чем с одноранговой, но не во всех сценариях. Процессоры Intel Core и AMD Ryzen выигрывают от использования модулей памяти с двухранговой организацией, при этом тесты показывают, что наибольшее преимущество и максимальную производительность обеспечивают модули ОЗУ с четырёхъранговой организацией. Какая именно организация памяти понравится процессорам Alder Lake в итоге — покажут будущие тесты.

Коментариев пока никто не оставил. Станьте первым!

оставить комментарий

Будь
з нами!