Samsung объявила о старте массового производства 4ГБ DDR3 RAM
Южнокорейский производитель компания Samsung анонсировала начало массового производства новой 4 ГБ DDR3 RAM памяти на основе 20 нм техпроцесса.
Со слов производителя, это решение позиционируется как «наиболее продвинутая DDR3 память, основанная на 20 нм техпроцессе.
В новых чипах используется улучшения технология двойного структурирования с иммерсионной ArF-литографией, которая, по слухам, будет применяться производителем при создании следующего поколения DRAM-памяти уже на основе 10 нм техпроцесса.
Согласно официальным данным, новые чипы на четверть энергоэффективнее предыдущей 25 нм памяти.
Джерело: SmartPhone.ua
Обговорення новини
Попередні новини
ZTE Nubia X6 получит камеру с оптической стабилизацией и стереодинамики15:40 12.03.2014Компания ZTE на своей странице в сервисе микроблогов Weibo опубликовала новые тизерные изображения своего будущего флагмана Nubia X6.
Fly готовит к анонсу 8-ядерный Android-смартфон IQ445 Octa15:05 12.03.2014В СМИ появилась информация о том, что британский бренд Fly в скором времени пополнил линейку своих Android-девайсов 8-ядерным смартфоном Fly IQ445 Octa.
МТС запустила «Игровой портал» для своих абонентов14:31 12.03.2014Абонентам предоставляется возможность воспользоваться широким каталогом игр и приложений по подписке, а также совершать одноразовую покупку игр на сайте.
