Технологический процесс является сегодня одним из важнейших показателей эффективности наноэлектроники, в полной мере он затрагивает и сферу флеш-памяти. Совсем недавно мы рассказывали о том, что Toshiba с гордостью представила технологию 25 нм, новые флеш-чипы появятся уже в конце текущего года. Теперь же пришел ответ от лидера рынка в лице Samsung: 20 нм.

Samsung

Емкость NAND-накопителей нового поколения начинается от 8 ГБ. Если чипы, изготовленные по актуальной сегодня технологии 30 нм, обеспечивают скорость чтения в 10 Мбайт/с и записи в 20 Мбайт/с, то производительность памяти с показателем 20 нм перебьет предшественника на 30%. Производство чипов на основе технологии 20 нм уже началось, Samsung уже приступила к рассылке лабораторных образцов партнерам, в серию они поступят в этом году.

Михаил Карпов