Компания Samsung анонсировала новую 64-гигабайтную NAND память для мобильных устройств.

Новая память выполнена на основе 20-нм техпроцесса и имеет поддержку интерфейса Toggle DDR 2.0.

При этом новый чип отличается крайне невысокой толщиной в 1,4 мм, что делает его пригодным для использования в ультратонких мобильных устройствах. Его скорость чтения достигает 80 Мбайт/с, а скорость записи - 40 Мбайт/с.

Автор: Дмитрий Мухарев